檢索結果:共7筆資料 檢索策略: "sputtering deposition".ekeyword (精準) and cdept.raw="電子工程系"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶,沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上,隨後於氧與氮氣氛下退火,討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值,ZnO(002)繞…
2
本研究以雙離子槍反應式離子束濺鍍法沉積摻鉺氧化鋅薄膜,藉由控制靶材所照射的離子電流以控制濺擊產率而達到控制鉺摻雜濃度之目的。在本實驗中摻鉺的氧化鋅薄膜可以得到位於近紅外範圍之1.0 (4I11/2 …
3
本文使用反應式離子束濺鍍沉積法,在晶向(100)的矽基板上成長氧化鋅薄膜,觀察不同成長溫度、氧通量和基板偏壓對薄膜造成的影響。300℃時,有弱的近能隙發光和強的綠光缺陷發光;500℃時,有強的近能隙…
4
以離子濺鍍法,在沈積氧化鋅薄膜同時,除了通入氬氣作為轟擊靶材之離子源,也直接加入氮氣,可將氮摻雜到氧化鋅薄膜,形成摻氮氧化鋅(ZnO:N)。以XRD分析成長溫度為300C之摻氮氧化鋅薄膜中只有氧化…
5
此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜,探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…
6
本研究利用反應式離子束濺鍍法沉積氧化鈷與摻銅氧化鈷薄膜,改變氧氣/氬氧的流量比例(Opf = O2/(Ar+O2))及沉積溫度,探討製程參數對氧化鈷及摻銅氧化鈷之影響。研究結果顯示在室溫下所沉積之樣…
7
本研究成功利用陽極層離子源之反應式離子束濺鍍沉積氧化鈷與氧化鈷銅薄膜,薄膜分別於製程溫度150℃與300℃下以不同氧氣流量比沉積於矽基板與石英基板上,實驗結果顯示,於150℃下沉積之薄膜皆屬非晶薄膜…